栅极驱动器

现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制

Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司

本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。

现代IGBT/MOSFET栅极驱动器 提供隔离功能的最大功率限制

Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司

摘要

本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。在高度可靠、高性能的应用中,如电动/混合动力汽车,隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。

隔离式栅极驱动器揭秘

摘要

【视频】栅极驱动器功率模块

带Microsemi模块的栅极驱动器板

【视频】栅极驱动器电源模块

带Microsemi的栅极驱动板

ADI 深度丨揭秘隔离式栅极驱动器

IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。
栅极是每个器件的电气隔离控制端。
MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极和发射极。

实现隔离式半桥栅极驱动器

作者:Brian Kennedy

许多应用都采用隔离式半桥栅极驱动器来控制大量功率,从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块,到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等,不一而足。本文将详细阐述这些设计理念,以展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。

【视频】快速、150V 保护、高压侧驱动器

LTC7000 是一款快速、受保护的高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器,该器件包含一个内部充电泵,因而允许外部 N 沟道 MOSFET 无限期地保持导通。LTC7000 接收一个低电压数字输入信号,并能以 35ns 的传播延迟完全接通或关断一个其漏极可高出地电位达 135V 的高压侧 N 沟道 MOSFET。

【研讨会PPT下载】设计高保真隔离式功率逆变器接口时需考虑的因素

ADI自动化、能源与传感器业务部门电机和电源控制团队(MPC)的高级系统应用工程师Dara O'Sullivan与大家探讨了3相逆变器系统中存在的系统设计问题,同时分析了与隔离式栅极驱动和电流/电压检测相关的设计挑战以及系统设计因素,如偏置电源和过流保护。另外还介绍了实际电路实施方案以及栅极驱动器时序等参数对电机控制系统性能影响的实验研究。

高压隔离栅极驱动器,ADuM4121/ADuM4121-1

概述

ADuM4121/ADuM4121-11是2 A隔离式单通道驱动器,采用ADI公司的iCoupler®技术提供精密隔离。ADuM4121/ADuM4121-1提供5 kV rms隔离,采用8引脚宽体SOIC封装。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体,相比于脉冲变压器和栅极驱动器等组合替代器件具有更出色的性能表现。