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作者:David Krakauer,ADI公司产品线经理

多年来,工业、医疗和其他隔离系统的设计人员实现安全隔离的手段有限, 唯一合理的选择是光耦合器。如今,数字隔离器在性能、尺寸、成本、效率和集成度方面均有优势。了解数字隔离器三个关键要素的特点及其相互关系,对于正确选择数字隔离器十分重要。这三个要素是:绝缘材料、结构和数据传输方法。

设计人员之所以引入隔离,是为了满足安全法规或者降低接地环路的噪声等。电流隔离确保数据传输不是通过电气连接或泄漏路径,从而避免安全风险。然而,隔离会带来延迟、功耗、成本和尺寸等方面的限制。数字隔离器的目标是在尽可能减小不利影响的同时满足安全要求。

传统隔离器——光耦合器则会带来非常大的不利影响,功耗极高,而且数据速率低于1 Mbps。虽然存在更高效率和更高速度的光耦合器,但其成本也更高。

数字隔离器问世于10多年前,目的是降低光耦合器相关的不利影响。数字隔离器采用基于CMOS的电路,能够显著节省成本和功耗,同时大大提高数据速率。数字隔离器由上述要素界定。绝缘材料决定其固有的隔离能力,所选材料必须符合安全标准。结构和数据传输方法的选择应以克服上述不利影响为目的。所有三个要素必须互相配合以平衡设计目标,但有一个目标必须不折不扣地实现,那就是符合安全法规。

详文请阅:数字隔离器剖析

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物联网是新一代信息技术的重要组成部分,也是“信息化”时代的重要发展阶段。物联网是互联网的应用拓展。

我国的物联网产业布局这方面算是开始比较早,随着近几年,我国经济持续稳健发展,促使物联网产业快速发展,全国物联网产业的市场规模大幅度增长,形成了一个具有广阔市场前景和发展潜力的产业体系。

近日,2018世界物联网博览会新技术新产品新应用成果征集新闻发布会在南京召开,物博会组委正式面向全球征集物联网领域最新科技成果。发布会期间,加拿大皇家科学院院士、加拿大工程院院士、美国电气电子工程协会院士杨恩辉在接受中经社江苏中心访谈时表示,我国加快物联网技术创新,应双向发力,一方面要加大共性基础技术研究力度,另一方面要以生活及文化需求为导向进行研究。

杨恩辉说,近一时期,我国芯片技术存在的短板引发各界关注。我国在芯片技术上与国外的差距,基本体现出我国物联网技术与国外的差距。加快物联网技术创新,我国必须要从国家层面总线布局,加强基础理论源头创新,研究共性基础技术,并在此基础上一步步将理论实践化,最终推向市场服务社会。这既是我国对全球基础科学的贡献,也可以提高国际名声。

据前瞻产业研究院《中国物联网行业应用领域市场需求与投资预测分析报告》数据显示,中国2015年物联网产业规模达到7500亿元人民币,预计到2020年将达到1.8万亿元。

物联网

目前,我国物联网技术创新,大多仍停留在基于国际先进核心技术、根据实际应用需求加以改进创新的层面,对国外技术的依赖度较高,缺乏原生态创新,也缺乏拥有强大技术实力和竞争力的龙头企业。此外,我国潜心研究核心技术基础的自主创新人才也相对较少。

杨恩辉认为,这一现状与我国的教育、生活方式及文化氛围有一定关系。西方国家更倾向于相对分散的居住环境,而不同的环境促使他们必须在各自的环境条件下自主思考,从而开展适宜的技术研究。我国则更倾向于彼此之间相互影响,自主创新意识相对薄弱。

对此,他建议,我国在基础教育时,应着重培养学生的自主意识,避免跟风研究。这种自主意识主要表现在,要让学生学会自我思考,在实际中发现问题,并了解自己是否对这个问题非常感兴趣、这个问题是不是对国计民生有价值等,从主观层面促进自主创新。

此外,杨恩辉强调,我国物联网技术在应用层面上已可比肩国外,加快我国物联网技术创新,要充分发挥应用优势,以生活及文化需求为导向,认识到我国历史文化及生活需求与国外的差异,不断发现问题,加快应用技术创新。

物联网是继计算机和互联网之后,在世界范围内兴起的又一次信息技术革命。物联网技术所带来的产业价值是互联网技术的30倍以上,该技术将会形成的通信业务将达到万亿元人民币级别,前景非常可观。

(来源:前瞻产业研究院)

中国物联网行业发展前景 市场规模大幅增长

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5G 即将开始部署,大数据无处不在,智能驾驶呼之欲出,人工智能(AI)正在改变我们的生活……

ADI 这双“魔术手”带你超越一切可能,用创新改变世界!

5G 的普及,让下载一部4K电影只需几秒钟;虚拟现实与真实世界融合;体育场里有很多人在使用互连设备,而功能、性能或可靠性丝毫不打折扣……5G还将带来哪些美好的改变? 普及之路需要哪些创新技术支撑?……

有人说,工业 4.0 将是最后一次工业革命!要实现工业4.0的愿景,智能工厂的机器设备如何实现自主学习?设备如何实现自主感知?工业环境下如何保证通信可靠无误?……

随着自主驾驶技术的进步,高级汽车电子系统中采用半导体产品的需求不断增加。自主驾驶安全如何保障?混合动力与电动汽车电能管理面临哪些变革?……

爱因斯坦提出宇宙中存在引力波,但他认为探测到引力波几乎不可能。但 LIGO 成功探测到引力波!惊叹之余,有没有想过是什么支撑了这一革命性事件?从电子工程角度看背后有哪些关键技术?……

科技显著进步的今天,食品污染仍然存在,气候变化导致作物歉收,农场管理还延续着过去的模式……食品安全监测有哪些技术方法?怎样用一种检测、处理和通信解决方案以优化作物的种植?……

宇宙探索是人类出现以来就有的梦想,人类即将再次登陆月球,火星已经有了人类的印迹……每一步太空探索都有电子科技的重要贡献,太空环境下电子技术面临哪些挑战?如何实现太空遥测?飞船电子系统如何确保稳定可靠?……

人类对科技的无穷探索让世界不断进步。50 多年来,ADI 以超越一切可能的精神在科技路上不断探索和突破,以无可比拟的检测、测量、电源、连接和解译技术在现实与数字世界之间架起智慧桥梁,让客户了解周围的世界。

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许多市场对高效率同相 DC-DC 转换器的需求都在不断增长,这些转换器能以降压或升压模式工作,即可以将输入电压降低或提高至所需的稳定电压,并且具有最低的成本和最少的元件数量。反相 SEPIC(单端初级电感转换器)也称为 Zeta 转换器,具有许多支持此功能的特性(图 1)。对其工作原理及利用双通道同步开关控制器ADP1877的实施方案进行分析,可以了解其在本 应用中的有用特性。

图1. 反相 SEPIC 拓扑结构

初级开关QH1 和次级开关QL1 反相工作。在导通时间内,QH1接通,QL1 断开。电流沿两条路径流动,如图 2 所示。第一条路径是从输入端经过初级开关、能量传输电容(CBLK2)、输出电感(L1B)和负载,最终通过地流回输入端。第二条路径是从输入端经过初级开关、地基准电感(L1A)和地流回输入端。

图 2. 电流流向图;QH1 闭合,QL1 断开。

在关断期间,开关位置刚好相反。QL1 接通,QH1 断开。输入电容(CIN)断开,但电流继续经过电感沿两条路径流动,如图 3所示。第一条路径是从输出电感经过负载、地和次级开关流回输出电感。第二条路径是从地基准电感经过能量传输电容、次级开关流回地基准电感。

图 3. 能量传输图;QL1 闭合,QH1 断开。

应用电感伏秒平衡原理和电容电荷平衡原理,可以求得方程式 1所规定的均衡直流转换比,其中 D 为转换器的占空比(一个周期的导通时间部分)。

上式表明:如果占空比大于 0.5,输出端将获得较高的调节电压(升压);如果占空比小于 0.5,调节电压会较低(降压)。此外还可分析得到其它相关结果:在无损系统中,能量传输电容(CBLK2)上的稳态电压等于VOUT;流经输出电感(L1B)的直流电流值等于IOUT;流经地基准电感(L1A)的直流电流值等于IOUT ×VOUT/VIN。该能量传输电容还能提供VIN至VOUT的隔直。当存在输出短路风险时,此特性很有用。

分析还显示,反相 SEPIC 中的输出电流是连续的,对于给定输出电容阻抗,会产生较低的峰峰值输出电压纹波。这就允许使用较小、较便宜的输出电容;相比之下,在非连续输出电流拓扑结构中,为了达到同样的纹波要求,需要使用较大且昂贵的电容。

通常,次级开关(QL1)是一个单向功率二极管,它会限制这种拓扑结构的峰值效率。然而,利用ADI公司双通道同步开关控制器ADP1877(见附录)的一个通道,并采用双向MOSFET作为次级开关,可以设计一个"完全同步配置"的反相SEPIC。这样,峰值效率将大大提高,同时可以降低输出电流大于 1 A的转换器尺寸和成本。

图 4 显示完全同步反相SEPIC配置的功率级,它利用ADP1877 实现,只需要三个小型、廉价的额外器件(CBLK1、DDRV和RDRV),其功耗可以忽略不计。

图 4. 同步反相 SEPIC 的功率级,利用 ADP1877 的通道 1 实现

反相SEPIC的理想稳态波形如图 5 所示。通道 1 开关节点SW1(见附录图A)在VIN + VOUT(导通时间内)和 0 V(关断时间内)之间切换。将电荷泵电容CBST连接到SW1,以便在导通时间内将约为VIN + VOUT + 5 V的电压施加于高端内部驱动器的自举上电轨(BST1 引脚)和高端驱动器的输出(DH1 引脚),从而增强初级浮空N沟道MOSFET开关QH1。箝位二极管DDRV确保稳态输出期间CBLK1上的电压约为VOUT + VFWD(DDRV),该电压参考ADP1877的DH1 引脚到QH1 栅极的电压。在关断时间内,当X节点电压约为–VOUT时,CBLK1上的电压阻止初级开关产生高于其阈值的栅极-源极电压。

图 5. 同步反相 SEPIC 的理想波形(忽略死区)

ADP1877 具有脉冲跳跃模式,使能时,可以降低开关速率,只向输出端提供足以保持输出电压稳定的能量,从而提高小负载时的效率,大大降低栅极电荷和开关损耗。在同步反相 SEPIC 和同步降压拓扑结构中均可以使能此模式。图 4 所示 DC-DC 转换电路只需要双通道 ADP1877 的一个通道,因此另一通道可以用于任一种拓扑结构。

电感耦合和能量传输电容

图 4 中,功率电感 L1A 和 L1B 显示为彼此耦合。在这种拓扑结构中,耦合电感的目的是减少输出电压和电感电流的纹波,并且提高最大可能闭环带宽,下一部分将对此加以说明。

虽然这些电感互相耦合,但并不希望耦合太紧,以至于将一个绕组的大量能量通过铁芯传输至另一个绕组。为了避免这一点,必须求得耦合电感的泄漏电感(LLKG),并选择适当的能量传输电容(CBLK2),使得其复数阻抗的幅值为泄漏电感与单个绕组电阻(DCR)的复串联阻抗的 1/10,如方程式 2、3、4 所示。按照这一关系设计电路,可使耦合铁芯所传输的能量降至最低。泄漏电感可以根据耦合电感数据手册中提供的耦合系数计算。

匝数比最好为 1:1,因为对于给定水平的输出电压纹波,此时各绕组只需要分立电感所需电感的一半1。可以使用 1:1 以外的匝数比,但其结果将无法用本文中的方程式准确描述。

小信号分析和环路补偿

反相 SEPIC 转换器的完整小信号分析超出了本文的范围,不过,如果遵照下述原则,完整分析将更具学术意义。

首先必须计算谐振频率(fRES)时的许多复数阻抗交互,以便求得目标交越频率的上限。当电感解耦时,此频率降低,导致最大可能闭环带宽显著降低。

在此频率时,可能有 300°或更大的"高Q"相位迟滞。为了避免转换器在整个负载范围内相位裕量偏小的问题,目标交越频率(fUNITY)应为fRES的 1/10。此谐振的阻尼主要取决于输出负载电阻和耦合电感的直流电阻。在较小程度上,阻尼还取决于能量传输电容的等效串联电阻(ESR)和功率MOSFET(QHl和QL1)的导通电阻。因此,当输出负载电阻改变时,闭环传递函数的特征在该频率时发生明显变化也不足为奇。

耦合系数通常不是一个能够精确控制的参数,因此应将目标交越频率设置为比fRES低 10 倍的值(假设fRES小于开关频率fSW)。当fUNITY设置适当时,可以使用标准"II型"补偿——两个极点和一个零点。

图6 显示同步反相SEPIC 降压/升压拓扑结构中ADP1877反馈环路的等效电路。上框包含功率级和电流环路,下框包含电压反馈环路和补偿电路。

图 6. 同步反相 SEPIC 拓扑结构中 ADP1877 具有内部电流检测 I环路的功率级和补偿方案

下框中的补偿元件值可以通过下式计算:

转换器的跨导GCS利用下式计算:

COUT是转换器的输出电容。ESR是该输出电容的等效串联电阻。RLOAD是最小输出负载电阻。ACS是电流检测增益,对于ADP1877,它可以在 3 V/V至 24 V/V范围内以离散步进选择。Gm是误差放大器的跨导,ADP1877 为 550 μs。VREF是与误差放大器的正输入端相连的基准电压,ADP1877 为 0.6 V。

GCS是与频率无关的增益项,随增强后的次级开关电阻RDS(ON)而变化。最高交越频率预期出现在此电阻和占空比D最低时。

为确保在最大输出电流时不会达到补偿箝位电压,所选的电流检测增益(ACS)最高值应满足以下条件:

其中∆IL为峰峰值电感纹波电流。

如果斜率补偿过多,此处的方程式精确度将会下降:直流增益将降低,输出滤波器将引起主极点的频率位置提高。

斜率补偿

对于利用ADP1877 实现的同步反相SEPIC,必须考虑电流模式控制器2中的次谐波振荡现象。

按照下式设置RRAMP,可以将采样极点的品质因素设为 1,从而防止发生次谐波振荡3(假设fUNITY设置适当)。

值得注意的是,随着增强后的次级开关电阻RDS(ON)降低,采样极点的Q也会下降。如果这一因素与其它相关容差一起导致Q小于0.25,则应进行仿真,确保在考虑容差的情况下,转换器不会有过多斜率补偿,并且不是太偏向于电压模式。RRAMP的值必须使得ADP1877 RAMP引脚的电流在 6 μA至 200 μA范围内,其计算公式 14 如下:

功率器件应力

从图 2 和图 3 的电流流向图可以看出,功率 MOSFET 在接通后要承载电感电流总和。因此,流经两个开关的电流直流分量为:

如果电感的耦合比为 1:1,则流经两个开关的电流交流分量为:

知道这些值后,可以很快算出流经各开关的电流均方根值。这些值与所选MOSFET的RDS(ON)MAX共同确保MOSFET具有热稳定性,同时功耗足够低,以满足效率要求。

图 7. 同步反相 SEPIC 的理想电流波形(忽略死区)

精确计算初级开关的开关损耗超出了本文的范围,但应注意,从高阻态变为低阻态时,MOSFET上的电压摆辐约为VIN + VOUT至 0V,流经开关的电流摆辐为 0 A至IOUT[1/(1–D)]。由于摆幅如此之高,开关损耗可能是主要损耗,这是挑选MOSFET时应注意的一点;对于MOSFET,反向传输电容(CRSS)与RDS(ON)成反比。

初级开关和次级开关的漏极-源极击穿电压(BVDSS)均须大于输入电压与输出电压之和(见图 5)。

峰峰值输出电压纹波(∆VRIPPLE)可通过下式近似计算:

流经输出电容的电流均方根值(I rms COUT)为:

方程式 12 所表示的峰峰值电感电流(∆IL)取决于输入电压,因此必须确保当此参数改变时,输出电压纹波不会超过规定值,并且流经输出电容的均方根电流不会超过其额定值。

对于利用ADP1877 实现的同步反向SEPIC,输入电压与输出电压之和不得超过 14.5 V,因为电荷泵电容与开关节点相连,当初级开关接通时,其电压达到VIN + VOUT。

实验室结果

图 8 显示 5 V 输出、3 V 和 5.5 V 输入时同步反向 SEPIC 的功效与负载电流的关系。对于需要在 3.3 V 和 5.0 V 输入轨之间切换的应用,或者当实时调整输入电压以优化系统效率时,这是常见情况。采用 1 A 至 2 A 负载时,无论输入电压高于或低于输出电压,转换器的效率均超过 90%。

图 8. 效率与负载电流的关系

与图 8 相关的功率器件材料清单见表 1,其中仅采用常见的现成器件。一项具可比性的异步设计采用一个具有低正向压降的业界领先肖特基二极管代替 QL1,在以上两种输入电压下,其满载时的效率低近 10%。此外,异步设计尺寸更大、成本更高,而且可能需要昂贵的散热器。

表 1. 功率器件

结束语

许多市场对输出电压高于或低于输入电压(升压/降压)的高效率同相转换器的需求都在不断增长。ADI 公司的双通道同步开关控制器ADP1877允许用低损耗MOSFET代替常用于功率级的高损耗功率二极管,从而提高效率,降低成本,缩小电路尺寸,使系统达到苛刻的能耗要求。只要遵循几项原则就能快速算出可靠补偿所需的元件值,并且利用常见的现成器件便可实现高效率。

参考电路

Barrow, Jeff. "Reducing Ground Bounce in DC-to-DC Converters—Some Grounding Essentials." Analog Dialogue. 41-2, pp. 2-7. 2007.

1Ćuk, Slobodan and R.D. Middlebrook. "Coupled-Inductor and Other Extensions of a New Optimum Topology Switching DC-DC Converter." Advances in Switched-Mode Power Conversion. Volumes I & II. Irvine, CA: TESLAco. 1983.

2Erickson, Robert and Dragan Maksimović. Fundamentals of Power Electronics. Chapter 12, Section 1. Norwell, MA: Kluwer Academic Publishers. 2001.

3Ridley, Raymond. "A New Small-Signal Model for Current-Mode Control." PhD Dissertation, Virginia Polytechnic Institute and State University. November 1990.

附录

ADP1877是一款Flex-ModeTM(ADI公司专有架构)双通道开关 控制器,如图A所示,其集成驱动器可驱动N沟道同步功率 MOSFET。两路PWM输出相移 180°,可降低输入均方根电流, 从而使所需的输入电容最小。

图 A. ADP1877 示意框图。仅显示通道 1;通道 2 与之完全相同,带后缀 2。

ADP1877 内置升压二极管,因而整体元件数量和系统成本得以 减少。在小负载时,可以将它设置为高效率脉冲跳跃工作模式, 也可以是 PWM 连续传导工作模式。

ADP1877 内置外部可调软启动功能、输出过压保护、外部可调 电流限制、电源良好指示,并提供 200 kHz 至 1.5 MHz 的可编程 振荡器频率。工作温度范围为–40°C 至+85°C 时,输出电压精 度为±0.85%;工作温度范围为–40°C 至+125°C 结温范围时, 输出电压精度为±1.5%。其工作电源电压为 2.75 V 至 14.5 V, 采用 32 引脚、5 mm × 5 mm LFCSP 封装。

作者:Matt Kessler

Matt Kessler is an applications engineer for Power Management Products in the Customer Applications Group in Fort Collins, CO. Responsible for technical support for a wide range of a products and customers, Matt is also one of the original architects and developers of ADIsimPower. Matt earned his BSEE from the University of Texas at Dallas and is currently pursuing his MSEE at Colorado State University. He has been with Analog Devices since 2007.

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近日,ADI 与中车株洲电力机车研究所联合实验室技术年会成功召开。中车株洲所研究院副院长方光华先生和 ADI 中国区总裁 Jerry Fan 出席了本次会议,出席会议的还有中车株洲所和 ADI 的二十余位技术专家和部门经理。技术年会历时一整天,双方共同就科技创新和技术合作等内容进行了深入的交流和探讨。

在上午的高层对接会上,双方更新了公司的最新进展,ADI Jerry Fan 还就中车株洲所所关注的如何实施科技创新做了详细的分享。会上 ADI 总结了 2017 年联合实验室的合作项目情况,双方共同确定了联合实验室今年新的技术合作方向。

下午是技术专题峰会,双方围绕今年的重点合作项目展开了深入交流。中车株洲所多个相关部门的领导和技术人员参加了会议,就多个技术问题与 ADI 技术专家进行了探讨。

长期以来,ADI 致力于设计与制造先进的半导体产品,通过优秀的解决方案为客户带来价值;中车株洲所是国内轨道交通技术领域的领头羊,双方都有着追求卓越与创新发展的理念,联合实验室就是在这样的背景下建立的。今年是中车株洲所 - ADI 成立联合实验室的第二个年头,项目合作成效明显。未来,双方将基于此平台继续加强合作,结出丰硕的成果。

中车株洲所 - ADI 联合实验室于 2016 年 5 月正式成立。联合实验室的成立是强强联合的双赢合作,ADI 希望用先进的半导体技术帮助中车株洲所实现产业技术升级,为轨道交通装备的现代化、智能化和低碳运行提供解决方案,进一步巩固和提升中车株洲所在行业市场的竞争地位;同时也希望通过中车株洲所的众多行业应用使 ADI 的产品得到不断地完善和突破。

目前两家公司在很多核心项目中都有着深度的合作。ADI 的品牌也深受中车工程师的认可,历年都被中车株洲时代电气公司评选为最佳支持原厂商。

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Analog Devices, Inc. (ADI)近日推出一款射频(RF)模数转换器(ADC),可实现业界领先的速度和带宽。与传统的射频ADC相比,新型AD9213具有更高的参数性能和更大的奈奎斯特带宽,并且能够在更高的模拟输入频率下进行射频采样,可实现高达7 GHz的射频信号的数字化。AD9213支持航空航天、仪器仪表以及通信领域的新一代软件定义系统,助力实现更高的系统集成度,更低的成本以及更小的尺寸、重量和功耗(SWaP)。此外,其高采样速率和集成的后处理功能有助于在窄带应用中实现更高的性能。

查看产品页面、下载数据手册和申请样片:http://www.analog.com/pr180522/AD9213
了解有关ADI公司高速转换器的更多信息:http://www.analog.com/pr180522/high-speed-converters
AD9213为航空航天客户提供了更大的灵活性,能够更大范围地处理频谱,并且可在雷达设计中实现更高的分辨率和更长的距离。该器件有助于电子测试和测量制造商(ETM)在时域应用(例如数字示波器和光谱/化学分析)中实现更大的产品差异化和新的性能水平。其奈奎斯特带宽更宽,便于卫星通信客户提供带宽更高的产品。此外,宽输入带宽与高采样速率相结合,可在无线通信应用中实现新型的宽带数字预失真架构。

AD9213产品聚焦:

* 采样速率为其他类似器件的2.5倍
* 系统动态范围更大,能够更好地区分信号
* 在较宽的信号带宽上具有出色的噪声性能
* 针对相控阵应用的增强型多芯片同步
* 时间分辨率提高(采样速率更高)

报价与供货

关于ADI公司

Analog Devices, Inc.是全球领先的高性能模拟技术公司,致力于解决最艰巨的工程设计挑战。凭借杰出的检测、测量、电源、连接和解译技术,搭建连接现实世界和数字世界的智能化桥梁,从而帮助客户重新认识周围的世界。详情请浏览ADI官网http://www.analog.com/pr180522

欲浏览官方网站上的ADI新闻,请访问:http://www.analog.com/pr180522/news

欲订阅ADI公司的每月技术杂志Analog Dialogue《模拟对话》,请访问:http://www.analog.com/pr180522/analogDialogue

更多有关产品信息,请致电亚洲技术支持中心:400 6100 006, 或发送邮件至china.support@analog.com,也可点击ADI官方微博http://weibo.com/analogdevices,或通过手机登录m.analog.com 或http://www.analog.com/pr180522 了解最新产品等信息。

更多ADI产品及应用视频,请访问:http://www.analog.com/pr180522/videos

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Analog Devices 宣布推出 Power by Linear™ LT8361,该器件是一款具有一个内部 2A、100V 开关的电流模式2MHz 多拓扑 DC/DC 转换器。LT8361 在 2.8V 至 60V 的输入电压范围内工作,适合从单节锂离子电池到多节电池的电池组、汽车输入、电信电源和工业电源轨的多种输入电源应用。

• 查看 LT8361 产品页面、下载数据手册、订购样片和评估板:www.analog.com/cn/LT8361
LT8361 可配置为升压、SEPIC 或反相转换器。其开关频率可在 300kHz 至 2MHz 范围内设定,因而使得设计师能够最大限度缩减外部组件尺寸,并避开关键的频段 (比如 AM 无线电频段)。此外,该器件以 2MHz 频率切换时效率超过 90%。突发模式 (Burst Mode®) 操作使静态电流降至仅为 9µA,同时输出纹波保持在 15mVp-p 以下。小型 MSOP-16E 封装与纤巧的外部组件 (由于采用高开关频率) 相结合,确保高度紧凑的占板面积,同时最大限度降低解决方案成本。

LT8361 的375mΩ 电源开关提供高达 95% 的效率。LT8361 还提供扩展频谱频率调制,以最大限度减轻 EMI 问题。无论输出为正还是为负,都可用单个反馈引脚设定输出电压,从而尽可能减少引脚数。其他特性包括外部同步、可编程 UVLO、频率折返和可编程软启动。

LT8361EMSE 采用 MSOP-16E 封装 (去掉了 4 个引脚以满足高压引脚间隔要求)。工业温度 (–40°C 至 125°C) 版本 (LT8361IMSE) 和高温 (–40°C 至 150°C) 版本 (LT8361HMSE) 也已供货。所有版本都有现货供应。欲了解更多信息,请访问 www.analog.com.cn/LT8361

特性概要:LT8361

• 宽输入电压范围:2.8V 至 60V
• 内部 2A、100V 电源开关
• 超低静态电流和低纹波 Burst Mode 操作:IQ = 9μA
• 实现较高效率的 BIAS 引脚
• 利用单个反馈引脚实现正或负输出电压编程
• 可编程、可同步频率:300kHz 至 2MHz
• 用于实现低 EMI 的扩展频谱频率调制
• 耐热性能增强型 16 引脚 MSOP 封装

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