ADI

作者:John Morrissey ADI公司

简介

24 GHz硅基毫米波雷达技术正在实现新一代现实世界,即越来越多地用于汽车、无人机、泛工业和消费类应用等大众市场应用的非接触式智能传感器。这类雷达传感器可以提供实时信息,比如物体存在、运动、角位置、速度以及几厘米到几百米的传感器范围。直到最近,毫米波雷达传感器仍使用尺寸庞大、复杂且构建成本高昂的离散解决方案来实现,这限制了其广泛的市场采用。ADI公司的新型24 GHz雷达产品提供出色的性能和高集成度,是小尺寸、低成本且易用的超低功耗解决方案,适用于物理检测、跟踪、安全控制和防撞警告系统等应用。

24 GHz雷达系统解决方案解决雷达传感器开发挑战

随着新型射频雷达传感器应用的出现,许多希望快速完成雷达传感器解决方案评估、设计和制造的公司面临一系列新的开发挑战。

针对将射频雷达作为一种传感技术着力开发的公司所面临的挑战,ADI公司最近推出了一款24 GHz雷达系统级原型解决方案(称为DemoRAD)(图1),可以在整个系统参考设计中实现硬件和软件应用开发。24 GHz DemoRAD系统是一款新颖的微波雷达评估平台,提供开箱即用的软件示例,可在数分钟内轻松启动雷达传感器。DemoRAD可对雷达传感器产品进行快速原型制作,从而测量目标/对象存在、运动、角位置、速度以及传感器范围等实时信息。

该系统硬件解决方案包括射频天线和一条完整的射频到基带信号链(ADF5904(接收)ADF5901(发射),ADF4159 (PLL),ADAR7251 (AFE)),其中还包括ADI的ADSP-BF707 DSP(数字信号处理器),可通过易用的图形用户界面和雷达算法软件快速连接笔记本电脑/PC(图2)。Blackfin® DSP库中提供雷达FFT和控制固件。用户只需几分钟就可将该平台系统插入加载了软件
的计算机。使用软件图形用户界面 (GUI) 提供全面的24 GHz雷达IC软件支持,在DSP雷达支持功能库中,通过一些额外功能可利用原始数据,并使用为雷达传感器设计的专用MATLAB® 工具(比如2D/3D 雷达FFT、CFAR和分类算法)在PC上进行后处理。

 24 GHz DemoRAD平台解决方案

图1. 24 GHz DemoRAD平台解决方案。

DemoRAD射频到基带信号链和简化框图

图2. DemoRAD射频到基带信号链和简化框图。

欲了解DemoRAD的更多信息,请参阅此产品亮点:DemoRAD:24 GHz雷达传感器平台。

FMCW雷达系统基础知识

图3所示为雷达发射时产生的调频连续波 (FMCW) 雷达波斜坡,以及用于定义雷达传感器设计信息的一组重要雷达公式。

FMCW雷达概念

图3. FMCW雷达概念。

距离分辨率取决于发射载波扫描带宽——发射扫描带宽越高,雷达传感器的距离速度越高。速度分辨率取决于停留时间和载波频率——载波频率越高或停留时间越长,速度分辨率越高。角分辨率取决于载波频率——载波频率越高,角分辨率越好。

图4描述了对ADSP-BF707中捕获的数据的后处理

FMCW数字后处理信号链

图4. FMCW数字后处理信号链。

DemoRAD系统信号链包括DSP中的一些基本算法,实施用于DSP FFT、波束成形和CFAR。基本目标检测和目标分类在主机PC上运行。DemoRAD主要用于采集时域和频域中的雷达信号。DemoRAD不包括高级目标检测或对象分类算法。这是应用级开发工作的一个例子,通常由终端系统开发人员执行,他们非常了解雷达传感器的工作环境以及所需的对象检测类型。

图5所示为Blackfin ADSP-BF70x的部分优化2D FFT,具有集成窗口功能,有助于避免饱和,实现更高的SNR,并优化内存布局,从而实现更高的带宽和更高效的数据处理。DemoRAD提供不同的操作模式。

FMCW雷达模式

在FMCW模式下,可以测量到静止目标的距离。目标的下变频接收信号的频率与到该目标的距离成比例。在GUI中,可以进行FFT处理以确定频率。使用距离-时间显示选项可以查看移动目标,同时显示屏存储多个FMCW扫描。

距离多普勒模式

在距离多普勒模式下,可以分析到目标的距离以及速度。距离多普勒模式是最强大的操作模式之一,因为它能够通过评估二维傅里叶变换同时处理多个发射斜坡。距离多普勒处理数据显示在距离多普勒图中。距离多普勒非常强大,因为它允许分离具有不同速度的目标,即使这些目标的距离都相同亦是如此。这对于不同方向上多个快速移动的目标非常有用——例如,解决汽车朝相反方向移动或超车期间的复杂交通情况。

数字波束成形 (DBF) 模式

在DBF模式下,显示到目标的距离以及与该目标所成的角度。来自四个接收通道的接收信号用于估计目标的角度。显示屏显示xy平面中各目标的空间分布。在DBF模式下,系统配置与FMCW模式下的相同,但对IF下变频信号的处理不同。在计算距离之后,通过评估四个接收通道之间的相位差来计算目标的角度信息。在DBF模式下,需要进行雷达前端系统校准,以消除接收通道之间不必要的确定性相位差。每个DemoRAD系统都具备工厂校准数据,在运行GUI时加载。随后会先校正采样的IF信号,再评估传感器的测量数据。

使用二维傅里叶变换的距离和多普勒频率

图5. 使用二维傅里叶变换的距离和多普勒频率。

DemoRAD平台的MIMO操作原理是:使用ADF5901上两个可用的发射输出并放置相应的天线。这样会产生七个接收通道来提高传感器的角分辨率——例如四个实际接收通道和四个虚拟接收通道,在一个通道上重叠。DemoRAD中使用的波形利用ADF4159 PLL的快速斜坡特性,其中上升线性调频脉冲为280μs,下降线性调频脉冲为4,总共为284μs。ADAR7251 AFE ADC以1 MSPS运行的情况下,采集256个采样或在上升沿中进行数据采样。

DemoRAD使用FMCW雷达监测最远至200 米且分辨率约为75 cm的对象范围和速度。根据天线阵列设计,水平 (FOV) 方位角约为120°,俯仰角约为15°。通过组合数字波束成形 (DBF) 中的天线,DemoRAD使用DBF来计算FOV中的角度信息。

作者简介

John Morrissey毕业于爱尔兰利默里克大学,获得电子工程 (BENG) 学士学位,并于1984年加入ADI公司。在1984年至1998年期间,John担任模拟IC设计师一职,致力于工业和通信应用的DAC、ADC和混合信号模拟电路新产品开发。在ADI工作的1999年至2007年期间,他的设计技能与工作兴趣延伸到了通信产品的RF和微波设计上。从2007年开始,他在ADI公司内担任过很多传感器技术工程与业务管理职位,包括设计和营销。目前他担任ADI公司RF和微波部门 (RFMG) 产品线总监一职,支持ADI汽车与工业雷达等业务。

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半导体技术的进步使高功率宽带放大器功能突飞猛进,GaN革命席卷了整个行业,并且可以让MMIC在几十种带宽下生成1 W以上的功率,因此,这个过去由行波管主导的领域已经开始让步于半导体设备。本文将简要描述支持这些发展的半导体技术的状态、实现最佳性能的电路设计考虑因素,还列举了展现当今技术的GaAs和GaN宽带功率放大器(PA)。

在电信行业,基站的工作频率为450 MHz至3.5 GHz左右,并且随着更高带宽的需求增长而持续增加。卫星通信系统的工作频率主要为C-波段至Ka-波段。用于测量这些不同电子设备的仪器仪表需要能在所有这些必要的频率下工作,才能得到国际认可。因此,系统工程师需要努力尝试设计一些能够覆盖整个频率范围的电子设备。想到可以使用单个信号链覆盖整个频率范围,大多数系统工程师和采购人员都会非常兴奋。用单个信号链覆盖整个频率范围将会带来许多优势,其中包括简化设计、加速上市时间、减少要管理的器件库存等。单信号链方案的挑战始终绕不开宽带解决方案相对窄带解决方案的性能衰减。挑战的核心在于功率放大器,对于窄带宽其具有一流的功率和效率性能。

半导体技术

过去几年,行波管(TWT)放大器一直将更高功率电子设备作为许多这类系统中的输出功率放大器级。TWT拥有一些不错的特性,包括千瓦级功率、倍频程带宽或者甚至多倍频程带宽操作、高效回退操作以及良好的温度稳定性。TWT也有一些缺陷,其中包括较差的长期可靠性、较低效率,并且需要非常高的电压(大约1 kV或以上)才能工作。关于半导体IC的长期稳定性,这些年电子设备一直向前发展,首当其冲的就是GaAs。在可能的情况下,许多系统工程师一直努力组合多个GaAs IC,生成大输出功率。整个公司都完全建立在技术组合和有效实施的基础之上。进而孕育了许多不同类型的组合技术,如空间组合、企业组合等。这些组合技术全都面临着相同的命运——组合造成了损耗,幸运的是,并不一定要使用这些组合技术。这激励我们使用高功率电子设备开始设计。提高功率放大器RF功率的最简单的方式就是增加电压,这让氮化镓晶体管技术极具吸引力。如果我们对比不同半导体工艺技术,就会发现功率通常会如何随着高工作电压IC技术而提高。硅锗(SiGe)技术采用相对较低的工作电压(2 V至3 V),但其集成优势非常有吸引力。GaAs拥有微波频率和5 V至7 V的工作电压,多年来一直广泛应用于功率放大器。硅基LDMOS技术的工作电压为28 V,已经在电信领域使用了许多年,但其主要在4 GHz以下频率发挥作用,因此在宽带应用中的使用并不广泛。新兴GaN技术的工作电压为28 V至50 V,拥有低损耗、高热传导基板(如碳化硅,SiC),开启了一系列全新的可能应用。如今,硅基GaN技术局限于6 GHz以下工作频率。硅基板相关的RF损耗及其相对SiC的较低热传导性能则抵消了增益、效率和随频率增加的功率优势。图1对比了不同半导体技术并显示了其相互比较情况。

微波频率范围功率电子设备的工艺技术对比

图1. 微波频率范围功率电子设备的工艺技术对比

GaN技术的出现让业界放弃TWT放大器,转而使用GaN放大器作为许多系统的输出级。这些系统中的驱动放大器仍然主要使用GaAs,这是因为这种技术已经大量部署并且始终在改进。下一步,我们将寻求如何使用电路设计,从这些宽带功率放大器中提取较大功率、带宽和效率。当然,相比基于GaAs的设计,基于GaN的设计能够提供更高的输出功率,并且其设计考虑因素在很大程度上是相同的。

设计考虑因素

选择如何开始设计以优化功率、效率及带宽时,IC设计师可以使用不同拓扑及设计考虑因素。最常见的单块放大器设计类型就是一种多级、共源、基于晶体管的设计,也称作级联放大器设计。这里,增益放大器会从每一级增加,从而实现高增益,并允许我们增加输出晶体管大小,以增加RF功率。GaN在这里提供了一些优势,因为我们能够大幅简化输出合成器、减少损耗,因而可以提高效率,减小芯片尺寸,如图2所示。

多级GaAs功率放大器和等效GaN功率放大器的比较

图2. 多级GaAs功率放大器和等效GaN功率放大器的比较

因此,我们能够实现更宽带宽并提高性能。从GaAs转向GaN设备的一个不太明显的优势就是,能够实现给定RF功率水平,可能是4 W。晶体管尺寸将会更小,从而实现更高的每级增益。这将带来更少的设计级,最终实现更高效率。这些级联放大器技术的挑战在于,在不显著降低功率和效率,甚至在不借助GaN技术的情况下,很难实现倍频程带宽。

兰格耦合器

实现宽带宽设计的一种方法就是在RF输入和输出端使用兰格耦合器实现均衡设计,如图3所示。

采用兰格耦合器的均衡放大器

图3. 采用兰格耦合器的均衡放大器

这里的回波损耗最终取决于耦合器设计,因为这将更容易优化增益和频率功率响应,并且无需优化回波损耗。即便是在使用兰格耦合器的情况下,也更难实现倍频程带宽,但却可以让设计实现不错的回波损耗。

分布式放大器

另一个要考虑的拓扑就是分布式功率放大器,如图4所示。分布式功率放大器的优势可通过在设备间的匹配网络中应用晶体管的寄生效应来实现。设备的输入和输出电容可以分别与栅极和漏极线路电感合并,让传输线路变得几乎透明,传输线路损耗除外。这样,放大器的增益应该仅受限于设备的跨导性,而非设备相关的电容寄生性能。仅当沿栅极线路向下传输的信号与沿漏极线路向下传输的信号同相时,才会发生这种情况。

分布式放大器的简化框图

图4. 分布式放大器的简化框图

因此,每个晶体管的输出电压将与之前的晶体管输出同相。向输出端传输的信号将会积极干扰,因此,信号会随着漏极线路而增强。任何反向波都会肆意干扰信号,因为这些信号不会同相。其中包含栅极线路端电极,可吸收任何未耦合至晶体管栅极的信号。还包含漏极线路端电极,可吸收任何可能肆意干扰输出信号并改善低频率下回波损耗的反向行波。因此,在几十种带宽下都可实现从kHz到GHz级的频率。当需要多个倍频程带宽时,这种拓扑就会变得非常受欢迎,并且还带来了几个不错的优势,如平稳增益、良好的回波损耗、高功率等。图4显示了分布式放大器的一个例证。

在这里,分布式放大器面临的一个挑战就是,功率功能由设备所使用的电压决定。由于不存在窄带调节功能,所以您可以实质上向晶体管提供50 Ω或接近于50 Ω的电阻。在等式1中,PA的平均功率、RL或最佳负载电阻实质上将变成50 Ω。因此,可实现的输出功率由施加到放大器的电压设定,所以,如果我们想要增加输出功率,就需要增加施加到放大器的电压。

这就是GaN的作用所在,我们可以迅速将带GaAs的5 V电源电压转变成GaN中的28 V电源电压,并且只需将GaAs转变成GaN技术,即可将可实现的功率从0.25 W转变成8 W左右。还要考虑一些其他因素,如GaN中可用工艺的栅极长度,以及它们能否在高频率带端实现所需的增益。随着时间发展,将会出现更多的GaN工艺。

级联放大器需要通过匹配网络来优化放大器功率,以此改变晶体管电阻值,相比之下,分布式放大器的50 Ω固定RL有所不同。利用级联放大器优化晶体管电阻值时存在一个优势,就是能提高RF功率。理论上,我们可以继续增加晶体管外设尺寸,从而继续提高RF功率,但这存在一些实际限制,如复杂性、芯片支持和合并损耗。匹配网络也会限制带宽,因为它们很难在广泛的频率范围中提供最佳阻抗。分布式功率放大器中只有传输线路,其目的是让信号积极干扰放大器,并没有匹配网络。还有一些技术可以进一步提高分布式放大器的功率,如使用共射共基放大器拓扑来进一步增加放大器的电源电压。

结果

关于提供最佳功率、效率和带宽的权衡,我们已经说明了各种不同的技巧和半导体技术。每一种不同拓扑和技术都有可能在半导体市场占据一席之地,这是因为它们每一个都有优势,这也是它们能够在当前生存的原因所在。这里,我们将关注几个值得信赖的结果,展现这些当前技术在实现高功率、效率和带宽时的可能性。

当前的产品功能

ADI公司基于GaAs的分布式功率放大器产品HMC994A,工作频率范围为直流至30 GHz。该器件非常有意思,因为它覆盖了几十种带宽、许多不同应用,并且可实现高功率和效率。其性能如图5所示。在这里,我们看到它是覆盖MHz至30 GHz、功率附加效率(PAE)典型值为25%的饱和输出功率大于1瓦的器件。这款产品还拥有标准值为38 dBm的强大的三阶交调截点(TOI)性能。结果显示,利用基于GaAs的设计,我们能够实现接近于许多窄带功率放大器设计的效率。HMC994A拥有正向频率增益斜率、高PAE宽带功率性能和强大的回波损耗,是一款非常有趣的产品。

HMC994A增益、功率以及PAE和频率的关系

图5. HMC994A增益、功率以及PAE和频率的关系

我们再来了解一下基于GaN技术可以做些什么。ADI公司推出了一款标准产品HMC8205BF10,它基于GaN技术,具有高功率、高效率 和宽带宽。该产品的工作电源电压为50 V,在35%的典型频率下可提供35 W RF功率,带20 dB左右的功率增益,覆盖几十种带宽。这种情况下,相比类似的GaAs方案,我们只需要一个IC就能提供高出约10倍的功率。在过去数年,这可能需要复杂的GaAs芯片组合方案,并且无法实现相同的效率。该产品展示了使用GaN技术的各种可能性,包括覆盖宽带宽,提供高功率和高效率,如图6所示。这还展现了高功率电子设备封装技术的发展历程,因为这个采用法兰封装的器件能够支持许多军事应用所需的连续波(CW)信号。

HMC8205BF10功率增益、PSAT以及PAE和频率的关系

图6. HMC8205BF10功率增益、PSAT以及PAE和频率的关系

结语

GaN等全新半导体材料的出现开启了实现覆盖宽带宽的更高功率水平的可能性。较短的栅极长度GaAs设备的频率范围已经从20 GHz扩展到了40 GHz及以上。这些器件的可靠性几乎已经超过了100万小时,普遍应用于当今的电子设备系统中。未来,我们预计会持续向更高频率和更宽带宽发展。

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简介

在雷达应用中,相位噪声是要求高杂波衰减的系统的关键性能指标。相位噪声是所有无线电系统都会关心的问题,但是雷达相比通信系统来说特别要求非常靠近载波频率的频偏位置的相位噪声性能。

这些高性能系统中的系统设计人员将选择超低相位噪声振荡器,并且从噪声角度来讲,信号链的目标就是使振荡器相位噪声曲线的恶化最小。这就要求对信号链上的各种元器件做残余或加性的相位噪声测量。

最近发布的高速数模转换器(DAC)产品对于频率转换阶段需要的任何LO的波形生成和频率创建都非常有吸引力。然而,雷达目标会挑战DAC相位噪声的性能。

AD9164相位噪声的改进

图1. AD9164相位噪声的改进。

在本文中,我们将展示AD9164 DAC在10KHz 频偏处超过10dB的改进 的测量结果。改进如图1所示,并且我们将会讨论如何通过结合电源稳压器选择和测试设置改进来达到这一结果。

相位噪声定义

相位噪声是周期信号过零点偏差的测量。考虑有相位波动的余弦波

相位噪声可以通过相位变化的功率谱密度来确定

就线性而言,单边相位噪声定义为

相位噪声 通常以10log(L(f))的dBc/Hz为单位来表示。然后可以将相位噪声数据绘制到相对RF载波的偏移频率中。

相位噪声绘图方法

图2. 相位噪声绘图方法。

相位噪声进一步的重要定义就是绝对相位噪声和残余相位噪声。绝对相位噪声是系统中测量的总相位噪声。残余相位噪声是测试设备的加性相位噪声。这种区别在测试设置和确定系统中元件级别相位噪声贡献的过程中至关重要。

DAC/DDS相位噪声测量方法

本部分图表显示DDS相位噪声测试设置。对于DAC相位噪声测量,可以设想将DAC作为直接数字频率合成器(DDS)子系统的一部分。DDS是通过将与DAC通信的单片IC或FPGA或ASIC中的数字正弦波模式送给DAC来实现。在现代DDS设计中,数字相位误差可以远低于DAC误差,而且DDS相位噪声测量通常受限于DAC的性能。

最简单和最常见的测试设置如图3所示。一个时钟源用于DDS并且DDS的输出馈入到一个互相关类型的相位噪声分析仪 。由于只需要一个DDS,所以很容易实现。然而,在这样的测试设置下,没有办法提取振荡器的贡献以便仅仅显示DDS的相位噪声。

绝对相位噪声DDS测试设置包含DAC和振荡器噪声

图3. 绝对相位噪声DDS测试设置包含DAC和振荡器噪声。

图4显示了两种常用的方法用来从测量中去除振荡器的相位噪声 ,提供残余噪声测量。这些测量方法的缺点在于,在测试设置中需要额外的DAC。但是,优点是可以应用于系统级分析预算,作为DAC相位噪声贡献的一种非常好的指标。

使用鉴相器方法的DDS残余相位噪声测量

图4a. 使用鉴相器方法的DDS残余相位噪声测量。

图4a显示的是鉴相器方法。这种情况下,使用两个DAC,将两个DUT都下变频至DC,可以减去振荡器的贡献。

使用互相关方法测量DDS残余相位噪声

图4b. 使用互相关方法测量DDS残余相位噪声。

图4b显示的是使用互相关相位噪声分析的方法。这种情况下,DDS2和DDS3可以用于将时钟贡献转换到测量的LO端口,在互相关算法中去除它们的贡献,并在测量中获取DDS1残余相位噪声。

电源噪声贡献

在低噪声模拟和RF设计中,电源噪声是公认需要考虑的因素。电源纹波会周期性的调制到RF载波并在RF载波的频偏等于纹波频率的地方产生杂散。稳压器1/f噪声也会调制到RF载波中,并体现在相位噪声曲线中。图5显示了这些原理。

电源缺陷调制到RF载波上

图5. 电源缺陷调制到RF载波上。

测量结果

在研究DAC真正的相位噪声性能的过程中,需要同时考虑测试设置和稳压器的噪声性能。

DAC初始评估板包含 ADP1740 稳压器用于给模拟和时钟提供电压。 将噪声谱密度与最近发布的超低噪声稳压器和所选的ADM7155进行对比。图6如产品数据手册所示显示了这些噪声密度的对比情况。电源修改仅将ADM7155用于AD9164时钟(数据手册引脚VDD12_CLK)和模拟电压(数据手册引脚VDD12A)。

稳压器噪声密度比较。注意Y轴单位——ADM7155提高了一个数量级

图6. 稳压器噪声密度比较。注意Y轴单位——ADM7155提高了一个数量级。

接下来,考虑残余相位噪声的测试设置选项。由于实用性和方便性,自带互相关方法的Rohde and Schwarz FSWP成为首选。使用的测试设置如图7所示。

AD9164相位噪声测量的测试设置

图7. AD9164相位噪声测量的测试设置。

AD9164 800 MHz output phase noise comparisons.

Figure 8. AD9164 800 MHz output phase noise comparisons.

图8显示了三种情况的测量结果。红色曲线显示了初始评估板的绝对相位噪声测量结果。浅蓝色曲线也是一种绝对测量结果,但提升了稳压器性能。深蓝色曲线是残余相位噪声测量结果,也提升了稳压器性能。

测量结果指出了在初始研究中并不明显的三种常规的限制区间。低于1 kHz的频率受限于时钟源近载波噪声。1 kHz至100 kHz的频率受限于稳压器选择。高于100 kHz的频率受限于时钟源。由于使用的时钟是用晶体振荡器倍频产生的6GHz,滚降来自于倍频电路中的RF滤波器,因此高于10 MHz的急剧下降来自于时钟源。

其他的一些DAC频率也使用了提升稳压器性能的残余相位噪声方法进行了测量,图9中概述了部分。这些改进在几个评估板上都做了复现,所有的情况都显示了同样的改进后的结果。

改进了低噪声稳压器性能的AD9164残余相位噪声测量

图9. 改进了低噪声稳压器性能的AD9164残余相位噪声测量。

噪声与固定输出电压无关。

超低噪声稳压器系列的噪声密度相似,如表1所示。正如本文所展示的,稳压器对DAC的相位噪声影响是值得注意的,超低噪声稳压器系列推荐用于任何要求最佳的相位噪声性能的RF系统中。

结语

相位噪声基础定义的复习、绝对和残余相位噪声、DAC相位噪声测量测试设置以及稳压器噪声贡献。

本文演示的DAC相位噪声性能改进包含残余相位噪声测量方法和最佳稳压器选择。最终结果是,通过ADI公司的低噪声稳压器系列对模拟电压和时钟电压供电时,AD9164现在可支持超低相位噪声、基于DDS的应用。

参考电路

Bergeron, Jarrah. “分析及管理电源噪声和时钟抖动对高速DAC相位噪声的影响”,《模拟对话》,第51卷,2017年。

Calosso, Claudio E., Yannick Gruson, and Enrico Rubiola. "DDS中的相位噪 声和幅度噪声",IEEE频率控制专题论文集,2012年。

Jayamohan, Umesh. "为GSPS或RF采样ADC供电;开关与LDO"。《模拟对话》,第50卷,2016年。

"11729B-1产品笔记,微波振荡器的相位噪声特性:鉴相器方法"。 Agilent, May,2007年5月。

Reeder, Rob. "高速ADC的电源设计",ADI公司,2012年。

Walls, Warren F. "交叉相关相位噪声测量"。IEEE频率控制专题论文集,1992年。

作者:Peter Delos

Peter Delos 是ADI公司航空航天和防务部的技术主管。他于1990年获得美国弗吉尼亚理工大学电气工程学士学位(BSEE),并于2004年获得美国新泽西理工学院电气工程硕士学位(MSEE)。1990年至1997年,他为美国海军核电站计划工作。工作内容包括:完成海军核电站学校官员计划,担任海军潜艇基地教师,领导康涅狄格州格罗顿的海狼级潜艇的现场电气工程师。

1997年,他接受了洛克希德马丁公司在新泽西州穆尔斯顿的一个职位,开始了一段硕果累累的职业历程,为多个雷达和电子战计划开发接收机/激励器和频率合成器。这段经验包括架构定义、详细设计、快速原型开发、制造、现场安装和协调多个工程专业。他的工作引领了相控阵接收器/激励器从集中式架构到阵列上数字波束合成系统的转变。

Jarrett Liner

Jarrett Liner是ADI公司航空航天与防务部门(位于美国北卡罗来纳州格林斯博罗)的RF系统应用工程师,他在射频系统和器件设计方面有着丰富的经验。

此前,他是防务和航空航天领域碳化硅衬底氮化镓放大器应用工程师。其先前的经历还包括从事13年的RF IC WLAN功率放大器和前端模块的设计与测试工作。他曾作为电子技师在美国海军服役6年。
Jarrett于2004年获得美国北卡罗来纳州农业技术州立大学(位于北卡罗来纳州格林斯博罗)电气工程学士学位。

当Jarrett不在实验室仿真电路或测量数据时,他可能在山地上骑自行车、在健身房教授自行车课程、跑步或者在庭院与他的四个孩子追逐嬉戏。

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由中移 OneNET 自主研发的麒麟座开发板 V3.0 版本已正式发布。作为一款在业界具备较高名气的物联网开发板,麒麟座开发板一直受到众多开发者的青睐,而新版的面市,也为广大物联网开发者带来了更多福音。

与以往的版本一样,麒麟座V3.0依然全面支持 OneNET 平台连接协议,支持 WIFI 和 GPRS 两种联网模式,同时自带倾角、温湿度等多个传感器及扩展接口,包含外部存储器、蜂鸣报警器、按键 LED 灯元器件,同时附带显示屏、下载器等配件。此外,最最重要的就是,麒麟座 V3.0 还对原有基础功能进行了优化升级,加量不加价。
麒麟座V3.0

亮点一

旧版本上的 M6311 通信模组,由中国移动最新自主研发的 M6312取代。作为一款 2G 工业级通信模组,M6312 采用 LCC 封装方式,工作温度可在 -40~85℃,不仅支持 eSIM 技术,同时还支持 OneNET 协议。

亮点二

加速度传感器由 ADXL345 升级为 ADXL362,新增红外发射器,同时增加地线排针,增加光敏电阻。

ADXL362,一款完整的3轴加速度测量系统,工作功耗极低。它既能测量因运动或冲击引起的动态加速度,也能测量倾斜等静态加速度。加速度以数字方式输出,器件通过SPI协议通信。内置数字逻辑支持自治工作,并实现用以增强系统级省电的功能。

低功耗设计不仅要求器件级吸取的电流低,而且意味着以精确的时间开启和关闭系统功能,从而实现总系统功耗的智能管理。作为可穿戴背后的明星产品,ADXL362 已被用在许多便携式智能设备上,比如,实现的 7*24小时全天候运动和健康监测 WITHINGS 脉搏活动跟踪器、小米手环等等。

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