利用反激、SEPIC和Ćuk组合为IGBT电机驱动产生多个隔离偏置轨



简介

先进电机驱动应用采用基于三相绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)的逆变器,后者由通常在400 V dc到800 V dc范围内的直流母线电压供电。该高压轨可以从三相整流器电桥滤波器组合或功率因数经校正的升压整流器直接获得,从三相交流输入产生高压轨(参见图1)。

IGBT是主功率开关,为电机各相提供(通常10 kHz)脉宽调制(PWM)输出。感应和永磁电机一般具有高绕组电感,其将此PWM电压集成到一个近似正弦形状的低频绕组电流波形中。在较小驱动应用中,某些IGBT采用ADuM4223等驱动器提供的单极性(如0 V至15 V)栅极驱动便能很好地工作,但在较大系统中,通常要求双极性栅极驱动电平(如−7.5 V和+15 V),并由ADuM4135等合适的驱动器驱动。负关断电平有助于避免IGBT因杂散电容而导通——集电极到发射极电压(VCE)的迅速上升(高正dV/dt)可能会引发这种情况。这种高dV/dt一般是由其他器件的正常导通引起的。(上管导通可能会引起下管在不希望导通时导通,反之亦然。)这6个栅极驱动器需要电源来提供+15 V和−7.5 V偏置电压。

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