Transphorm的GaN首次达到对电机驱动应用至关重要的短路稳健性里程碑
winniewei -- 周五, 08/11/2023 - 09:33
Capability与Yaskawa Electric Corporation合作，充分发挥Transphorm常关平台的根本优势
GaN
ADI深度丨行波管可休矣，高带宽、大功率RF功放是谁的天下？
selina -- 周一, 11/06/2017 - 09:52
半导体技术的进步使高功率宽带放大器功能突飞猛进，GaN革命席卷了整个行业，并且可以让MMIC在几十种带宽下生成1 W以上的功率，因此，这个过去由行波管主导的领域已经开始让步于半导体设备。本文将简要描述支持这些发展的半导体技术的状态、实现最佳性能的电路设计考虑因素，还列举了展现当今技术的GaAs和GaN宽带功率放大器(PA)。
GaN功率放大发展状态评测
selina -- 周一, 10/30/2017 - 08:46
Walt DeMore ADI 公司工程经理
摘要
GaN功率半导体技术和模块式设计的进步，使得微波频率的高功率连续波(CW)和脉冲放大器成为可能。
GaN打破壁垒—RF功率放大器的带宽越来越宽、 功率越来越高
selina -- 周四, 10/26/2017 - 09:06
作者：Keith Benson
摘要
【视频】iCoupler隔离式GaN半桥逆变器
selina -- 周三, 06/28/2017 - 09:49
新一代逆变器采用GaN和SiC等先进开关技术。宽带隙功率开关，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更轻的重量，通过提高开关频率来实现。